业绩亏损：SK海力士已将全球芯片销售和营销团队迁至首尔
2024-05-103月27日消息，据外媒报道，韩国芯片制造商SK海力士将其全球芯片销售和营销团队从仁川迁至首尔。这一举措是因为首尔更方便与外国客户会晤，也更容易雇用员工，而且仁川总部空间不足。此外，该公司还将采购团队拆分为前端团队和后端团队，以加强对芯片生产后端使用的零部件和设备的采购。 然而，受全球芯片市场需求疲软和供应过剩的影响，SK海力士芯片销售在2022财年第四季度创下有史以来最大的季度亏损。当季，该公司的营业亏损达到1.7万亿韩元（约合14亿美元或89.76亿元人民币），而去年同期则实现盈利4.2万亿
SK海力士H5AN4G6NBJR-XNC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-10标题：SK海力士H5AN4G6NBJR-XNC DDR储存芯片的技术与方案应用介绍 SK海力士的H5AN4G6NBJR-XNC DDR储存芯片是一款高性能的内存芯片，它以其出色的性能和稳定性在市场上占据着重要的地位。本文将介绍这款芯片的技术特点、方案应用以及其在各领域中的优势。 一、技术特点 H5AN4G6NBJR-XNC DDR储存芯片采用了SK海力士的最新技术，包括高速数据传输速率、低功耗、低工作温度等。该芯片支持DDR3内存接口，数据传输速率高达2400MT/s，能够满足各种高负荷计算和
SK海力士H5AN4G6NBJR-VKIR DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-10SK海力士，作为全球知名的半导体公司，一直致力于研发和生产高品质的DDR储存芯片。其中，H5AN4G6NBJR-VKIR芯片以其卓越的性能和稳定性，在市场上赢得了广泛的认可。 H5AN4G6NBJR-VKIR DDR储存芯片是一款高速DDR3内存芯片，适用于各种高密度、高性能的存储应用。其核心特点是高速、高容量、低功耗和低成本，这使得它在各种嵌入式系统、服务器、移动设备和存储卡等领域具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下H5AN4G6NBJR-VKIR芯片的技术特点。这款芯片采用了先进的内
SK海力士H5AN4G6NBJR-VKC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-09SK海力士公司是一家全球领先的半导体公司，其H5AN4G6NBJR-VKC DDR储存芯片是一款高性能、高可靠性的内存芯片，广泛应用于各种电子产品中。本文将介绍SK海力士H5AN4G6NBJR-VKC DDR储存芯片的技术特点和方案应用，帮助读者更好地了解该芯片的优势和应用范围。 一、技术特点 SK海力士H5AN4G6NBJR-VKC DDR储存芯片采用了先进的DDR技术，具有以下特点： 1. 高速度：该芯片支持高速数据传输，能够满足现代电子设备的快速数据处理需求。 2. 高可靠性：该芯片采用
SK海力士H5AN4G6NBJR-UHI DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-09随着科技的飞速发展，储存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。SK海力士的H5AN4G6NBJR-UHI DDR储存芯片是一款广泛应用于各种电子产品中的高速储存设备。本文将围绕这款芯片的技术特点、方案应用等方面进行详细介绍。 一、技术特点 SK海力士H5AN4G6NBJR-UHI DDR储存芯片采用了先进的DDR技术，具备高速、高密度、高稳定性的特点。该芯片采用双通道接口，支持高达64GB/s的带宽，大大提高了数据传输速度。此外，该芯片还采用了先进的制程技术，保证了产品的稳定性和可靠性
SK海力士H5AN4G6NBJR-UHCR DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-08标题：SK海力士H5AN4G6NBJR-UHCR DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士的H5AN4G6NBJR-UHCR DDR储存芯片是一款广泛应用于各类电子产品中的关键组件。它是一款高速、高容量、低功耗的内存芯片，为现代电子设备提供了强大的数据存储和处理能力。 一、技术特点 H5AN4G6NBJR-UHCR芯片采用了DDR（双倍数据率）内存技术，这意味着它可以在同一时间内处理两个方向的指令，大大提高了数据传输速度。此外，其采用BGA封装，使得芯片的连接面积小于传统封装技术，大大提
SK海力士H5AN4G6NBJR-UHC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-08SK海力士公司是一家全球领先的半导体公司，其H5AN4G6NBJR-UHC DDR储存芯片是一款高性能的内存芯片，广泛应用于各种电子产品中。本文将介绍SK海力士H5AN4G6NBJR-UHC DDR储存芯片的技术特点和方案应用，以帮助读者更好地了解该芯片的性能和应用前景。 一、技术特点 SK海力士H5AN4G6NBJR-UHC DDR储存芯片采用了先进的DDR技术，具有高速、低功耗、高可靠性的特点。该芯片采用了双通道内存架构，支持双倍数据率传输，能够大幅提升系统的性能和响应速度。此外，该芯片还
韩国芯片制造商SK海力士推迟在中国大连建设新晶圆厂时间
2024-05-074月21日消息，据韩媒报道，韩国芯片制造商SK海力士已推迟其在中国大连建设的新晶圆厂的完工时间。 据报道，该工厂是SK海力士在中国建设的第二家此类工厂，计划生产3D NAND芯片。在此之前，该公司在中国无锡拥有一家半导体工厂。SK海力士在大连的新工厂于去年5月开工建设，原本预计在一年内完工，最初的时间表是在今年4月到5月之间完工。但消息人士称，SK海力士计划将今年的支出较去年减少50%，这是该晶圆厂延迟完工的原因之一。 实际上，早在2022年7月份，消息人士就曾透露，受终端产品需求低于预期的影
SK海力士H5AN4G6NAFR-UHC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-07标题：SK海力士H5AN4G6NAFR-UHC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士的H5AN4G6NAFR-UHC DDR储存芯片是一款采用先进技术制造的内存芯片，它在各个领域中都有着广泛的应用。接下来，我们将详细介绍这款芯片的技术特点和方案应用。 一、技术特点 1. 高性能：H5AN4G6NAFR-UHC采用DDR技术，具有极高的数据传输速度和稳定性。 2. 高容量：该芯片具有大容量设计，能够满足大规模存储需求。 3. 高可靠性：SK海力士对这款芯片进行了严格的质量控制，确保其在
SK海力士H5AN4G6NAFR-TFC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-05-07SK海力士H5AN4G6NAFR-TFC DDR储存芯片的技术与方案应用介绍 SK海力士公司是一家全球领先的半导体公司，其H5AN4G6NAFR-TFC DDR储存芯片是一款高性能、高可靠性的内存芯片，广泛应用于各种电子产品中。本文将介绍SK海力士H5AN4G6NAFR-TFC DDR储存芯片的技术特点和方案应用。 一、技术特点 1. 高速度：SK海力士H5AN4G6NAFR-TFC DDR芯片采用最新的DDR技术，具有极高的数据传输速度，能够满足现代电子设备的快速数据处理需求。 2. 高可靠