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英特尔CEO:中国芯片制造将落后10年
发布日期:2024-01-30 07:44     点击次数:79

半导体供应链的不确定性依然存在。

美国多年来一直试图通过制裁和出口管制来减缓中国在半导体和人工智能等领域的进步。英特尔首席执行官评论说,这一战略正在影响中国的半导体制造能力,并强调了日本和荷兰等国的合作。这些言论与台积电和 NVIDIA 的声明不谋而合,尽管在这个高度互联的行业中,供应链的不确定性依然存在。

英特尔首席执行官帕特·基辛格在达沃斯世界经济论坛上发表讲话时断言,由于美国对关键芯片制造零部件的制裁,中国的半导体发展将落后于领先国家十年。

为了应对中国在该行业的快速增长,美国制定了控制措施,阻止中国获得最新芯片技术所需的工具。然而,美国并没有独自阻止中国,而是联合了盟友日本和荷兰的合作,这是该政策取得成效的关键因素。

荷兰公司 ASML 是全球最大的生产 14 纳米以下半导体所必需的光刻工具供应商。最近向英特尔发货了其最新的高端 EUV机器。此举是英特尔努力重新夺回其在芯片制造领域领先地位(落后于台积电和三星)的一部分。

在达沃斯论坛上,基辛格讨论了全球供应链的脆弱性,这一担忧在疫情期间变得更加明显。他指出,几十年的产业政策使芯片制造集中在亚洲国家,美国现在正试图通过《芯片法案》扭转这一趋势,该立法旨在增强美国的技术自给自足。

去年,台积电创始人张忠谋承认,美国制裁可能暂时使台积电受益,但对此类措施的长期有效性表示怀疑。他预测制裁将使中国在芯片制造技术方面落后数年。不过,他也指出,美国等国家需要大量时间来发展其芯片制造能力。

美国官员乐观地认为,美国可以在十年内开始生产和封装最先进的半导体。相比之下, 亿配芯城 Nvidia的首席执行官认为这一目标可能需要接近10年或20年的时间。

全球最先进的1.5纳米芯片工厂

英特尔位于德国马格德堡附近的工厂不仅将成为欧洲最先进的半导体生产工厂,而且根据首席执行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 的说法,一旦投产,它将成为世界上最先进的工厂。该晶圆厂将使用 18A 后工艺技术处理晶圆,并将用于为英特尔及英特尔代工服务客户生产产品。

基辛格在瑞士达沃斯举行的世界经济论坛上表示:“这不仅是德国最先进的制造工厂,马格德堡工厂还将拥有世界上最先进的芯片制造工厂。我们对这项工作的开展感到非常兴奋。”

英特尔负责人并未具体说明其马格德堡工厂将采用英特尔的哪些后18A工艺技术,只是含糊地表示将采用1.5纳米的量级。

英特尔将于 2 月底公布其 18A 后制造工艺路线图,届时该公司可能还会概述其哪些晶圆厂(或更确切地说是站点)将首先采用一个节点或另一个节点。目前,我们只能推测 Intel 18A 之后的继任者。

英特尔决心将其领先的制造技术带到欧洲,这在半导体行业是罕见的。目前,位于爱尔兰莱克斯利普附近的英特尔 Fab 34 工厂正在采用英特尔 4 纳米级工艺技术生产芯片,预计将在未来几个季度开始生产英特尔 3 纳米级处理器。虽然目前 Intel 4 和 Intel 3 是该公司最先进的节点,但它们落后于台积电的 N3(3 纳米级)。相比之下,英特尔预计其 18A 及其后续产品将在功耗、性能和面积特性方面领先于行业。

在晶圆厂方面,在台积电召开法说会后表示,预计将推迟正在亚利桑那州建设的两家半导体工厂中的第二座工厂的生产,并称早些时候有关该工厂将生产一种先进制程芯片的声明存在不确定性。

台积电曾于2022年12月表示,第二座工厂计划于2026年开始生产3纳米芯片。但近日,台积电董事长刘德音在新闻发布会上的发言进一步证明,这个耗资400亿美元的亚利桑那州项目在实现激进的时间表目标方面遇到了挑战。

第二座工厂的建设仍在继续,但台积电目前考虑将2027年或2028年作为量产的时间表。具体的芯片类型尚未确定,将受到客户需求和政府激励措施的影响。刘德音表示,该公司正与美国政府就亚利桑那州的激励措施和税收减免支持进行持续沟通。

审核编辑:刘清